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    什么是POE?用于供电设备(PSE)的PoE方案DH2184 Demo板分析

    什么是POE?用于供电设备(PSE)的PoE方案DH2184 Demo板分析

    一、什么是POE? POE(Power Over Ethernet)指的是在现有的以太网Cat.5布线基础架构不作任何改动的情况下,在为一些基于IP的终端(如IP电话机、无线局域网接入点AP、网络摄像机等)传输数据信号...

    2021-08-24 标签:PoEPSE5G智慧城市智能电线杆 102

    恒压恒流输出的电源适配器样机测试 思睿达TT5565SG+TT3006方案

    恒压恒流输出的电源适配器样机测试 思睿达TT5565SG+TT3006方案

    01、样机介绍 该 测试 报告是基于一个能适用于宽输入电压范围,输出功率12W,恒压恒流输出的电源 适配器 样机,控制IC采用了思睿达的TT5565SG 和TT3006。 ? TT5565SG+TT3006_5V2.4A 工程样机示意图 ?...

    2021-08-24 标签:MOSFET开关电源电源管理PWM适配器 193

    比亚迪半导体被中止上市审核

    突发!比亚迪半导体被中止上市审核?比亚迪半导体被中止上市审核是什么原因了?我们一起俩看看具体的消息,据说深交所中止比亚迪半导体股份有限公司上市审核是因为发行人律师事务所被...

    2021-08-23 标签:半导体比亚迪 444

    IGBT??榧吧⑷认低车牡刃饶P?></a></div>
					<div class="a-content">
						<h3 class="a-title"><a href="http://www.ytminhanghotel.com/dianyuan/1691157.html" title="IGBT??榧吧⑷认低车牡刃饶P? target="_blank">IGBT??榧吧⑷认低车牡刃饶P?/a></h3>
						<p class="a-summary">本文对IGBT??榈牡刃嚷纺P驼箍〗樯?,所述方法及思路也可用于其他功率器件的热设计。...</p>

						<p class="one-more clearfix">
							<span class="time">2021-08-20</span>
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							<span class="tag">标签:<a target="_blank" href="/tags/%E6%95%A3%E7%83%AD%E5%99%A8/" class="blue">散热器</a><a target="_blank" href="/tags/IGBT/" class="blue">IGBT</a><a target="_blank" href="/tags/%E6%95%A3%E7%83%AD%E7%B3%BB%E7%BB%9F/" class="blue">散热系统</a></span>
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								<span class="seenum ">2241</span>
								<span class="type  mr0"></span>
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				</div><div class="article-list">
					<div class="a-thumb"><a href="http://www.ytminhanghotel.com/d/1690688.html" target="_blank"><img src=

    高性价比、高稳定性家电领域电源芯片哪里寻?思睿达TT3215A 输出5V0.3A参考设计

    TT3215A是一款低成本高精度待机电源芯片。内置功率管,极小的LEB时间可以实现AC264V输入,5V输出的应用需求。IC具有自供电能力无需启动 电阻 ,同时IC具有多重?;すδ?。本设计为AC230V输入,使...

    2021-08-20 标签:半导体电源管理电感电源芯片 3722

    碳化硅迈入新时代,ST 25年研发突破技术挑战

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    SiC的发展历史不仅引人入胜,而且情节紧张激烈,因为捷足先登才能取得先机。SiC特性在20世纪初就已经确立,第一个SiC发光二极管追溯到1907年。...

    2021-08-17 标签:电动汽车ST碳化硅半导体晶圆 204

    Maxim发布3相MOSFET栅极驱动器,可最大程度地延长电池寿命并将元件数量减半

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    全集成的TMC6140-LA有效简化高性能无刷直流电机驱动系统设计,效率提升30%。...

    2021-08-17 标签:MOSFETMaxim电池寿命栅极驱动器trinamic 213

    油罐车尾的铁链消失不见,如何量化材料的电阻率?

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    体积电阻率测量一般采用下图1所示的测试夹具完成,将电压源V-Source施加到上电极,测试流经测试样品的小电流I,随后体积电阻率ρv用公式ρv=kvτR计算得出。...

    2021-08-13 标签:电阻率泰克科技 956

    意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管

    意法半导体推出新的射频LDMOS功率晶体管

    在高频(3-30MHz)到250MHz频率范围内,性能强大的IDEV系列能够提供高达2.2kW的连续波(CW)输出功率,而且只采用一个陶瓷封装,因此减少了广播发射机等大功率应用所需的射频功率晶体管的总数...

    2021-08-13 标签:射频意法半导体功率晶体管 1518

    智能功率??镮PM的结温评估

    智能功率??镮PM的结温评估

    IPM??槭堑缁淦灯鞯淖钪匾墓β势骷?, 近些年随着IPM??榈男⌒突鼓?镽th(j-c)变大,从而对温升带来了越来越多的挑战。...

    2021-08-10 标签:英飞凌功率???/a>IPM 328

    开关电源LC滤波器设计

    开关电源LC滤波器设计

    开关电源LC滤波器的主要功能是滤除纹波,满足EMI的需求??词羌虻?,就电感和电容,设计实际中有很多要考虑的因素,电感电容的特性,还有布板和其他元件的分布参数?;挂悸锹瞬ㄆ鞯氖?..

    2021-08-09 标签:开关电源滤波器LC滤波器 3004

    英飞凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT分立器件系列,提供优异效率

    英飞凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT分立器件系列,提供优异效率

    新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点,具备出色的开关速度和更低的开关损耗,特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。...

    2021-08-06 标签:英飞凌IGBT肖特基二极管 538

    英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET功率???,助力提升功

    英飞凌科技股份公司将EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET??樯段滦偷粒ˋIN) 陶瓷。...

    2021-08-06 标签:英飞凌MOSFET功率???/a> 233

    适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET (ASFET)将SOA增加了166%,并将PCB占用空间减小80%

    适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET (ASFET)将SOA增加了166%,并将PCB占用空间

    新推出的80 V和100 V器件最大限度降低额定值,并改善均流,从而提供最佳性能、高可靠性并降低系统成本。...

    2021-08-04 标签:pcbMOSFET 214

    高集成度、完整?;すδ艿腜WM控制器难找?看看CR6863B方案

    高集成度、完整?;すδ艿腜WM控制器难找?看看CR6863B方案

    CR6863B是一款高集成度、低待机功耗的CCM+PFM 混合电流模式PWM控制器。CR6863B 轻载时会降低频率,最低频率22kHz 可避免音频噪声。CR6863B 提供了完整的?;すδ?,如cycle-by-cycle 电流限制、OCP、OTP、...

    2021-07-30 标签:开关电源电源管理PWMPWM控制器 3616

    ROHM开发出LiDAR用75W高输出功率激光二极管“RLD90QZW3”

    ROHM开发出LiDAR用75W高输出功率激光二极管“RLD90QZW3”

    通过业界超窄线宽实现高密度发光,有助于LiDAR应用产品支持长距离并实现更高精度~...

    2021-07-28 标签:激光二极管RohmLIDAR 383

    Microchip推出业界耐固性最强的碳化硅功率解决方案取代硅IGBT,现已提供1700V版本

    Microchip推出业界耐固性最强的碳化硅功率解决方案取代硅IGBT,现已提供1700V版本

    1700V MOSFET裸片、分立器件和功率??槠骷忍蓟璨氛笕堇┐罅松杓迫嗽倍孕屎凸β拭芏鹊难≡穹段?..

    2021-07-28 标签:开关电源microchipIGBT碳化硅 458

    一文看懂氮化镓:纳微最全介绍,带你极速认识第三代半导体

    禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度,使它具有非常细窄的耗尽区,从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。...

    2021-07-20 标签:半导体氮化镓纳微半导体 2420

    新品|国内首款兼容光耦带DESAT?;すδ艿腎GBT/SiC隔离驱动器SLMi33x

    新品|国内首款兼容光耦带DESAT?;すδ艿腎GBT/SiC隔离驱动器SLMi33x

    数明半导体近日正式发布国内首款单通道带DESAT?;すδ艿腎GBT/SiC隔离驱动器SLMi33x。...

    2021-07-19 标签:IGBT光耦隔离驱动器DESAT 486

    纳微半导体中文官网正式上线!

    纳微半导体中文官网正式上线!

    氮化镓的应用研究已经超过 10 年,目前在各种不同的行业和领域中,都积极开展各种市场验证,或者已经有非常成熟的解决方案。...

    2021-07-15 标签:功率半导体纳微半导体 402

    确保SiC验证测试准确度,有效测量碳化硅功率电子系统中的信号

    确保SiC验证测试准确度,有效测量碳化硅功率电子系统中的信号

    在功率电子系统中,差分探头和参考地电平探头是两种常用的电压测量方法。差分探头是一种流行的选择,因为它可以毫无问题地添加到电路的任意节点中。...

    2021-07-13 标签:电子系统SiC碳化硅 654

    ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

    ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

    ROHM致力于为广泛的应用提供有效的电源解决方案,不仅专注于行业先进的SiC功率元器件,还积极推动Si功率元器件和驱动IC的技术及产品开发。...

    2021-07-08 标签:IGBTRohmSiC二极管 497

    科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术,高效赋能新型超宽带5G

    GaN-on-SiC 和高度有效线性化技术的采用,可以实现更高效率的无线传输,带来显著的功率、散热和成本等方面节约,从而加快 5G 的部署。...

    2021-07-05 标签:功率放大器无线技术无线传输科锐5G 562

    英飞凌推出高性能CIPOS?Maxi智能功率???IPMs) IM818-LCC

    该IPM封装为DIP 36x23D。这使得它成为最小的1200V IPM封装,在同类产品中具有最高的功率密度和最佳性能。...

    2021-06-30 标签:英飞凌功率???/a>HVAC工业驱动器 292

    Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引脚标准逻辑DHXQFN封装

    Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引脚标准逻辑DHXQFN封装

    封装尺寸仅为2 mm x 2 mm(14 引脚)、2 mm x 2.4 mm(16引脚)、2 mm x 3.2 mm(20引脚)和2 mm x 4 mm(24引脚),0.4 mm间距的DHXQFN封装只有0.45 mm高。...

    2021-06-30 标签:pcb收发器电源转换Nexperia 246

    过压?;?TDK推出具有超低电容和钳位电压的超小型TVS二极管

    过压?;?TDK推出具有超低电容和钳位电压的超小型TVS二极管

    新型?;ぴ纳杓坡鉏EC 61000-4-2标准,其ESD接触放电电压可达15 kV,大幅领先于标准要求。...

    2021-06-28 标签:过压?;?/a>晶圆TDKTVS二极管钳位电压 303

    Vishay新型SMD HI-TMP?液钽电容器可节省基板空间并提高可靠性

    Vishay新型SMD HI-TMP?液钽电容器可节省基板空间并提高可靠性

    器件工作温度达+200 °C,具有更高的耐抗热冲击能力,使用寿命长达2,000小时,适于石油勘探、国防和航空航天应用。...

    2021-06-28 标签:VishaySMD钽电容器 275

    三星首款基于MOSFET冰箱变频器设计采用英飞凌600V CoolMOS? PFD7

    变频是当代变频器设计中,采用直流转交流的新兴转换趋势。与传统的开/关控制相比,变频能让产品应用更安静平稳地运转,同时也能减少平均耗电量。...

    2021-06-25 标签:英飞凌MOSFET三星电子变频器 420

    功率半导体过热的必须品

    功率半导体过热的必须品

    贴片零件,具有小封装 6.8x8.8mm,大分断能力 400A,高电流处理能力 130A/60VDC。...

    2021-06-24 标签:功率半导体SCHURTER 245

    Nexperia新8英寸晶圆生产线启动,首批产品具有行业内极低的Qrr品质因数(RDS(

    Nexperia今日宣布,位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动,首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr ,80 V和100 V MOSFET。...

    2021-06-24 标签:MOSFET电机控制晶圆Nexperia 322

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