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    嵌入式存储的下一步:STT-MRAM

    来源:电子发烧友网 ? 作者:Felix ? 2021-07-26 08:30 ? 次阅读
    MRAM,即磁阻式随机访问存储器的简称,兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM,属于MRAM的二代产品,解决了MRAM写入信息存在的问题。

    STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ(磁性隧道结),由两层不同厚度的铁磁层及一层几个纳米厚的非磁性隔离层组成,它是通过自旋电流实现信息写入的。目前,STT-MRAM已经从几家代工厂(GlobalFoundries、英特尔、三星、台积电和联电)中脱颖而出,成为一种非常有吸引力的IP选择。

    STT-MRAM具有以下几个出色的特性:
    • 储存时间长
    • 高密度
    • 随机访问
    • 接近零泄漏功率
    • 低写误码率

    STT-MRAM的开发步骤包括以下几项:
    第一步是材料的堆栈工程——例如,晶体结构、原子组成、厚度和每个层边界的界面特性。需要通过详细的“自旋极化”计算确定以下材料特性:
    • 磁各向异性 (K)
    • 磁饱和 (Ms)
    • 隧道磁阻性(TMR)

    第二步是扩展电子级、“基态、零K”材料模拟。

    第三步是将 MTJ 物理维度引入到工艺开发中。下图说明了磁性“耦合场”在制造后如何存在于锥形、非完全圆柱形 MTJ 中。
    图源:semiwiki

    最后一步是将之前对材料、温度相关性和 MTJ 尺寸的分析抽象为合适的“紧凑型器件模型”, MRAM阵列设计人员可以用阵列解码的 SPICE 模型结合位单元存取晶体管、写入驱动器和读取传感设备。

    与当前的嵌入式闪存相比,STT-MRAM 在以下几个方面都具有优势:
    • 耐久性(读/写周期数)
    • 数据保留(非易失性阵列存储)
    • 读/写循环性能
    • 成本

    所有这些特性优势都是在严格的环境条件下应用,例如-40℃~125℃——对应于带有eMRAM IP的工业应用SoC。

    制造方式实际上也是STT-MRAM优于闪存的点。以台积电32Mb嵌入式STT-MRAM为例,闪存需要12个或更多额外的掩模,只能在硅基板上实现,并且以页面模式写入。由于MTJ器件能够通过三个左右额外的掩膜嵌入芯片的线路后端(BEOL)互连层,因此STT-MRAM在后段(BEOL)金属层中实现仅需要2-5个额外的掩模,并且可以以字节模式写入。

    将STT-MRAM与最新的通用存储候选进行比较,STT-MRAM的读写时间分别为2和20 ns,而相变RAM(PRAM)的读取时间为20~50ns,写入的时间为30ns。此外,STT-MRAM的耐久性也是要优于PRAM的。

    当然STT-MRAM也有自身的一些问题。在基于STT-MRAM的许多应用中,磁场干扰是一个潜在的问题。因此 STT-MRAM 阵列的磁抗扰度 (MI) 是一个新的可靠性参数。在最近的 2021 年 VLSI 研讨会上,GLOBALFOUNDRIES 的 MRAM 负责人 Vinayak Bharat Naik 解读了采用 22FDX-SOI 工艺技术制造的 MRAM 阵列的磁抗扰度实验分析结果。值得注意的是,该技术还具有非常吸引人的 RF 特性。因此,可能存在带有电感元件的片上 RF IP,即便这些电感元件会发出显著的场强。下面看看STT-MRAM对于外部场强和片上场强的反应。

    外部场强源自 SoC 封装之外。Vinayak 展示了应用于 STT-MRAM 测试站点的实验设置和 MI 分析结果。下图显示了(ECC 校正的)存储器读写 BER 为零,活动 MI 大于 250 Oe。
    图源:semiwiki

    另外,Vinayak 还强调,MTJ 层内磁化畴的各向异性表明外部磁场和 STT-MRAM 测试点表面之间的入射角可能会影响抗干扰性。

    SoC 芯片内的抗磁性能有两个方面:
    • 源自电感线圈的场,例如用于LC谐振电路,导致STT-MRAM错误率。
    • 源自MTJ阵列本身的场,影响LC槽功能。

    Vinayak 分享了分析数据,显示感应线圈的磁场强度与分离距离的关系,如下所示。右上方的图表显示了源自嵌入式 STT-MRAM 阵列的磁场。在示例中,MRAM阵列场非常小,因此对LC谐振回路振荡频率的影响可以忽略不计。
    图源:semiwiki

    嵌入式MRAM 确实引入了一个新的可靠性问题——阵列对来自 SoC 封装外部或芯片上电感电路的磁场的“抗扰度”。在制造环节,为了解决磁干扰性问题,制造商选择在封装上沉积0.3mm厚的磁屏蔽层。实验表明在移动设备的商用无线充电器的磁场强度为3500Oe的情况下,暴露100小时的误码率可以从> 1E6 ppm降低到1ppm。另外,在650 Oe的磁场下,在125°C下的数据保存时间超过10年。

    目前MRAM软件技术正在世界各地的实验室中开发,但是随着STT-MRAM产品成本的降低,无论是嵌入式产品还是独立产品,MRAM软件技术都可能成为MRAM取代最快的静态随机存取存储器应用的手段,提供更高的非易失性存储器密度。

    谈到应用,STT-MRAM可以在许多嵌入式应用中替代NOR闪存和SRAM。非易失性存储使用NOR闪存存储代码,并将数据传输到SRAM充当缓冲区或高速缓存。例如低端手机同时使用NOR和SRAM,可以很容易地用单个STT-MRAM芯片替换它们。

    同时,STT-MRAM具有重要的军事应用,在抗恶劣环境高性能计算机、军用卫星、导弹、火箭、航天飞行器控制和数据存储系统中都需要具有超高密度、超大容量、超低能耗、随机存储、非易失性、结构简单、抗辐照能力强等优点的存储器系统,这些特性STT-MRAM都具备。

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